勳章菊的繁殖方式

勳章菊常用種子繁殖，可以使用分株與扦插。

播種繁殖
春.秋天播種皆可，.微微覆土，保溼要很好，約7~10天發芽分株.插芽的週期約是4或10月份，分株是將2~3芽分爲一株.於初春進行定植，插芽則接每一芽插植於排水良好的土壤中。
冬季溫室育苗，4月移植露地。同屬植物約24種，常見觀賞栽培的還有：羽葉勳章菊(Gazania pinnata)等。
春、秋天播種皆可，微微覆土（覆土是種子直徑的兩倍），保溼要很好，（可參考紙巾催芽法）約7~10天發芽分株.插芽的週期約是4或10月份，分株是將2~3芽分爲一株.於初春進行定植，插芽則將每一芽插植於排水良好的土壤中。
當前國內作爲盆栽花卉和花壇花卉生產的品種，主要通過引進進口F1代雜交種子進行播種繁殖，以保證品種表現出一致性和高效性。此外，勳章菊還可以通過分株和扦插的方法進行繁殖。
播種育苗春育苗從播種到開花需85天左右，每平方米苗牀播種量15克左右。撒播，種子上面覆蓋細土0.8釐米左右。控制地溫18～21℃，播下種子3天出苗。有1對真葉時移苗，用直徑8釐米左右的容器，或開溝按8釐米的株行距栽下種苗。苗期控制氣溫15～25℃，土壤水分控制適中，要充分見光。定植前5～7天降溫，加大通風，適度控水煉苗。無霜後定植露地。

種子每克400至450粒，播種介質的pH值爲5.8至6.0，播種後稍覆土，育苗分四個階段。
第一階段：主根展出，需要4至6天，介質保持偏幹，用蛭石覆蓋較好，以保持適當的溼度，介質溫度維持在21℃至24℃，介質EC值在0.5至0.75較爲適宜，發芽不需要光照。
第二階段：發芽基本完成，主根開始伸展，達到2釐米左右，真葉開始展出，溼度不能太大，必須在表土乾燥後再稍微補充部分水分，介質溫度在18℃至20℃，用以鈣爲基礎的複合肥料（14－2－14－6Ca－3Mg）按50ppm至75ppm的濃度施肥壯苗，介質EC值爲0.75至1.0，如果採用加入營養啓動劑的進口泥炭育苗，則此階段不需要施肥。此階段易弱光，每天14至16小時的長日照有利於壯苗。
第三階段：主根已經較爲發達，長度4至5釐米，幼苗已經有一片真葉發育完全，溼度控制的乾溼變化週期爲24小時，這樣有利於控制生長。介質溫度、光照強度、介質EC值同第二階段，每週施肥1至2次，施肥濃度可增加到100ppm至150ppm，以氮肥爲主。如果採用進口泥炭育苗，此階段也不需要施肥。同時可用2500ppm的矮壯素比久（B－9）噴施。
第四階段：根系已充分生長，形成根團，幼苗已有3至4片真葉，該階段的溼度、光照、施肥及EC值均不需要改變，溫度調節至16℃至18℃，如有必要，可再噴一次矮壯素比久（B－9），濃度爲2500ppm。

分株繁殖
在春季莖葉生長前，將越冬的母株挖出，盆栽的將母株從花盆倒出，用刀在株叢的根頸部縱向切開，分成若干叢，每叢必須帶芽和根系。

扦插繁殖
室內栽培全年都可進行扦插，露地栽培的在春、秋涼爽季節進行扦插。用芽作插穗，留頂端2片葉，如葉片大，可剪去1/2，以減少葉面水分蒸發。插入沙牀裏，控溫20～25℃，保持較高的空氣溼度，一般扦插後20～25天生根。如果用1000毫克/千克吲哚丁酸藥液處理1～2秒鐘，能加速生根。生根後移入直徑8釐米的容器中栽培。
或直接插到沙牀裏，控溫爲20℃至25℃，保持較高的空氣溼度，一般扦插後20至25天生根。如果用1000毫克/千克吲哚丁酸藥液浸蘸1至2秒鐘，能加速生根。生根後移入直徑爲8至12釐米的花盆中栽培即可。